《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》结合著者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》的研究工作主要有以下四个方面：
　　第2章介绍了V／Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，并对其作用机理进行了分析。随着V／Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余应力增加、载流子浓度降低、电子迁移率升高、光学性能变好。
　　第3，4章介绍了采用低温缓冲层技术在蓝宝石和sic衬底上生长获得自支撑GaN单晶的方法。系统地研究了不同缓冲层工艺和单晶生长工艺对GaN晶体质量的影响，确定了工艺条件，获得了高质量的自支撑GaN单晶。
　　第5，6章介绍了高温退火处理衬底的方法。在退火过程中，位错的应变能会降低GaN分解所需的自由能，GaN在位错处会优先分解形成退火坑。且由于混合位错和螺位错的应变能大于刃位错的应变能，混合位错和螺位错对应的退火坑尺寸大于刃位错对应的退火坑尺寸。以此为基础，第5章提出一种根据退火坑的差异表征位错的方法。第6章对衬底进行高温退火，使其分解形成多孔结构，并在其上进行GaN的生长，获得自支撑GaN单晶。
　　第7章介绍了两步腐蚀法处理衬底获得自支撑GaN单晶的方法。