本书研究了电子发射理论和器件工作导通机制，提出了电场缓变增强的设计方法和栅极动态调控源极电子浓度的新型栅控机理，设计了微纳等离子体开关和环形栅纳米空气沟道器件两类器件，研究了两类器件的电学性能，并提出了一种面向晶圆级微纳空气沟道精准制备的斜沉积工艺。主要包含微纳等离子体开关的工作机理与电学性能研究、GaN基微纳等离子体开关及超快大功率窄脉冲源设计、超低亚阈值摆幅纳米空气沟道器件设计和面向晶圆级微纳空气沟道精准制备的斜沉积工艺开发与验证等内容。