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改性锗半导体物理

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改性锗半导体物理

作者:宋建军 编著
出版社:西安电子科技大学出版社
ISBN:978-7-5606-5951-0
出版年:2020

10(已有人评分)

改性锗半导体物理 简介
本书共7章,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习,可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

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