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宽禁带半导体电子材料与器件 简介
本书系统介绍了II族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O, 四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。并列题名： Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors eng
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