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硅基锗材料生长与器件构筑 简介
本书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识，接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料，锗的原位硼(B)和磷(P)掺杂，最后是硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性，并给出相关特性的定性与定量分析。
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